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產(chǎn)品中心
可靠性測(cè)試設(shè)備
動(dòng)態(tài)老化測(cè)試系統(tǒng)
動(dòng)態(tài)老化測(cè)試系統(tǒng)
高溫動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試系統(tǒng)
(DHTRB2000)
點(diǎn)擊咨詢產(chǎn)品高溫動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試系統(tǒng)(DHTRB2000)
該系統(tǒng)針對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試，測(cè)試方法參考AQG324。每個(gè)試驗(yàn)區(qū)域可進(jìn)行最高12個(gè)工位的測(cè)試，工位具備獨(dú)立脈沖源配置?？蔀槠骷峁┦覝貇200°C的試驗(yàn)溫度。具有試驗(yàn)器件短路脫離試驗(yàn)功能，可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗(yàn)回路，不影響其他器件的正常試驗(yàn)。
功能
- dv/dt>50V/ns (COSS<300pF)
- 2us的過流保護(hù)
- 溫控在室溫~200℃內(nèi)可獨(dú)立加熱，兼容靜態(tài)HTRB試驗(yàn)
- 充分的實(shí)驗(yàn)員人體安全考慮設(shè)定
產(chǎn)品特性
試驗(yàn)溫度 | 室溫~200°C(熱板形式加熱) |
老化試驗(yàn)區(qū) | 8區(qū)(可擴(kuò)容) |
單區(qū)工位 | 12 (典型) |
試驗(yàn)方法 | 主動(dòng)式: |
試驗(yàn)電壓 | 50V-1200V |
電壓精度 | 檢測(cè)誤差: ±(2%+1V) |
脈沖控制 | 1.脈沖頻率(方波): 0kHz~100kHz; 精度:2%+2LSB(最大頻率取決于電壓，DUT電容) |
VGS電壓測(cè)控范圍 | -0.7V~-20V/0V |
漏電流檢測(cè) | 檢測(cè)范圍: 0.1uA~20mA |
整機(jī)供電 | 三相AC380V+38V |
整機(jī)重量 | 700Kg(典型) |
整機(jī)尺寸(典型) | 800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H) |
適用標(biāo)準(zhǔn)
AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A
適用器件
適用于SiC、GaN、IGBT模塊、MOS管