高溫高濕動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)(DH3TRB2000)
該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進行高溫高濕動態(tài)反偏老化測試,測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進行最高6個工位的測試,工位具備獨立脈沖源配置??蔀槠骷峁藴?5°C/85%RH試驗環(huán)境。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。
功能
- nA級別的漏電流檢測精度
- dv/dt>30v/ns (Coss<300pF)
- 整機30s的全工位數(shù)據(jù)刷新
- 獨特高壓抑制電路,器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進程
- 可定制工位老化電壓獨立控制功能,實現(xiàn)單工位老化超限剔除
- 充分的實驗員人體安全考慮設定
產(chǎn)品特性
試驗溫度 | 室溫+10℃ ~+150℃ |
試驗濕度 | 10%RH~98%RH |
試驗方法 | VGS, off = VGS, min,VGS, on = VGS, max |
老化試驗區(qū) | 14區(qū)(14/16區(qū) 可選) |
單位工位 | 6(典型) |
試驗電壓 | 50V ~ 1000V |
電壓檢測精度 | 檢測誤差:±(2% ±1V) |
脈沖控制 | 1. 脈沖頻率(方波):10kHz ~ 50kHz,精度:2% ± 2LSB |
VGS電壓測試范圍 | 被動式:-0.7V ~ -20V/0V |
漏電流檢測 | 檢測范圍:0.1uA ~ 20mA |
整機供電 | 三相AC380V ±38V |
整機重量 | 1200Kg(典型) |
整機尺寸 | 2000mm(W)×1505mm(D)×1950mm(H) |
適用標準
AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A
適用器件
適用于SiC、GaN、IGBT模塊、MOS管